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分子束磊晶系統( Molecular Beam Epitaxy)

分子束磊晶系統為一架構在超高真空環境下之薄膜成長系統。一般狀態下的真空度是大約10-10 torr,工作中的真空度是10-9到10-8 torr。在此高真空中,使用Kundsen Cell (K-cell)加熱材料而蒸鍍出來的高溫氣體分子,可以直線行進到基板上,過程中不與其他分子碰撞,因此可以成長出高品質的奈米薄膜。搭配反射高能電子繞射儀(Reflection high-energy electron diffraction, RHEED) ,分析其電子繞射圖譜。除了可分析其樣品表面結構來監測鍍膜的品質外,亦可透過監測其強度震盪以控制其生長速率來進行層狀薄膜之生長。

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